在会议室，李飞解释手机射频PA在工艺材料上可分为CMOS和GAas这两种工艺的区别…，以及，在未来市场的分析…。

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不过，李飞并没有说出，在21世纪，2G手机是完全使用CMOS工艺的射频PA芯片，在3G手机上CMOS和Gaas各为一半，但是，由于CMOS工艺的问题，在4G和5G手机上，还处研发阶段...。

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那么，根据重生前的记忆，CMOS工艺的射频PA是在2006年研发成功，真正地大规模商用，大约是在2009年，在这之前，Gaas工艺一直是射频PA的主流，

也就是说，现在推出CMOS工艺的手机射频PA是有非常大的市场。并且在2G和3G手机市场上有绝对的优势，要知道，即使在2020年，2G手机销售量还是达到了2亿台！

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当然，除了在手机射频PA的CMOS和GAas这两种工艺，还有其它的工艺BiCMOS…

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听完李飞对手机射频PA的工艺解释后...，员工们发自内心的惊叹：李工可真是芯片技术研发大神，不光熟悉电子电路技术研发，对芯片工艺也是非常精通…！！！

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因为李飞所说的手机射频PA的CMOS和GAas这两种工艺，是21世纪所研发的射频PA芯片工艺技术资料。

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确定了射频PA的工艺后，接下来，就是确定手机射频PA的内部电路模块：前级电路，一缓冲级、中间放大级、末级功率放大级…。在写字板上写出手机射频PA的内部电路模块，然后，李飞大概地说出手机RF射频功率放大器工作原理：

“从射频收发芯片输出GSM射频发射信号和DCS射频发射中频信号，经过滤波电路和阻抗匹配电路，输入到RF射频功率放大器PA的前级电路，不过，由于射频收发芯片输出发射中频信号功率是很小，需要经过RF射频功率放大器一系列的放大，一缓冲级、中间放大级、末级功率放大级，获得足够的射频功率以后，才能馈送到天线上发射出去。”

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