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第一八一章 D堆叠

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王岸然很清楚,光刻机想在短时间取得突破,可能性几乎为零。

浸入式光刻机技术也是渺茫,双工台的难度等级甚至比光刻机还要难。

可以预见的是,依靠先进设备提升工艺几乎不可能。

王岸然现在要做的,就是在现有的设备条件下,如何提升制造工艺。

这并不是不可能的,多重曝光,对准双重成像技术SADP都能有效的提升工艺水平。

当然王岸然的目标不仅仅如此,FinFET技术只是开始,既然在单面积平面上集成的晶体管数量无法达到世界行业水平,那么只能在空间上想想办法。

晶体管的空间堆叠就是方向之一,也就是俗称的3D晶体管。

在普通人眼中,3D晶体管是非常高大上的技术,事实上这项技术也是非常高大上。

简单来,3D晶体管就是搭积木一样,将氧化层、半导体层、金属层一层一层的堆叠,形成各种逻辑电路。

在实际操作中就是在已经蚀刻好的晶体管电路上涂上保护层,然后用物理气相沉积法,或者其他物理化学处理办法。

在保护层上,再沉积一层材料,对沉积的材料进行光刻、蚀刻、清洗等工序,完成后再重复这样的过程。

由于工序的显着增多,加上上下层之间的电路很多是相通的,这就引来两大技术难点。

其一就是每一道工序都有一定的概率出现误差,叠加之后,误差会有显着的放大效应,直接结果就是良品率急剧下降。

而第二,就是王岸然要跟安德森要谈的内容了,华芯科技需要德州仪器提供高精度光电对准技术。

王岸然当晚上与华芯科技主要的技术,管理高层开会。

会上,王岸然要求各技术主管将目前,以及远期将要遇到的技术难题逐条整理,经过王岸然整理之后,一共有十二大项,一百七十八项技术难题。

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