“现代的光刻技术分成几个步骤，首先是气相成底膜，就是硅片在清洗、烘培后首先通过浸泡、喷雾或化学气相沉积等工艺。

然后是旋转涂胶，是形成底膜后，要在硅片表面均匀覆盖光刻胶，此时硅片被放置在真空吸盘上，吸盘底部与转动电机相连，当硅片静止或旋转的非常缓慢时，光刻胶被分滴在硅片上，随后加速硅片旋转到一定的转速，光刻胶借助离心作用伸展到整个硅片表面，并持续旋转甩去多余的光刻胶，在硅片上得到均匀的光刻胶胶膜覆盖层，旋转一直到溶剂挥发，光刻胶膜几乎干燥后停止。

然后是软烘，是涂完光刻胶后，需对硅片进行软烘，除去光刻胶中残余的溶剂，提高光刻胶的粘附『性』和均匀『性』。未经软烘的光刻胶易发粘并受颗粒污染，粘附力会不足，还会因溶剂含量过高导致显影时存在溶解差异，难以区分曝光和未曝光的光刻胶。

还有曝光，这个过程是在硅片表面和石英掩模对准并聚焦后，使用紫外光照『射』，未受掩模遮挡部分的光刻胶发生曝光反应，实现电路图从掩模到硅片上的转移。

显影，是使用化学显影『液』溶解由曝光造成的光刻胶可溶解区域，使可见图形出现在硅片上，并区分需要刻蚀的区域和受光刻胶保护的区域。显影完成后通过旋转甩掉多余显影『液』，并用高纯水清洗后甩干。

坚膜，显影后的热烘叫做坚膜烘培，温度比软烘更高，目的是蒸发掉剩余的溶剂使光刻胶变硬，提高光刻胶对硅片表面的粘附『性』，这一步对光刻胶的稳固，对后续的刻蚀等过程非常关键。

坚模之后就是刻蚀了，这项工艺非常重要，是通过化学或物理的方法有选择地从硅片表面除去不需要材料的过程，通过刻蚀能在硅片上构建预想的电子器件。

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