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八五年，机电部（如今的工Y部）45所研制成功分步光刻机样机，中K院沪海光学精密机械研究所研制的“扫描式投影光刻机“通过鉴定，采用的都是436纳米G线光源，制程工艺达到1.5um，认为均达到GCA生产的4800DSW水平，为国内大规模集成电路专用设备填补了一项空白，这是国内第一台分步投影式光刻机，在这个时期，在分步光刻机上与国外的差距不超过七年。

八十年代，国内开始大规模引进外资，用市场换技术，用空间换时间，贸工技的路线挤压了自主技术成长的空间，许多G企纷纷转型，技术下马、项目停滞、“造不如买，买不如租”的思想占据主流，其中也包括光刻机项目。

国内不少打着高科技旗号的公司沉迷在“贸易”和“加工”带来的“快钱”里不可自拔。

虽然集成电路的研发和生产是重点扶持的科研项目，但G企和合资晶圆公司纷纷进口3英寸、4英寸晶圆及3μm、2μm制程工艺的半导体生产线，国产光刻机缺乏市场竞争的优势，几家半导体设备厂全部处于亏损状态，没有研发资金的持续投入，光刻机的研发和生产停滞不前。

光刻机经历三十多年的快速发展，根据光刻机光源划分，从六十年代的第一代g-line（436nm）光源、第二代i-line(365nm)光源的接触式光刻机、接近式光刻机，到七十年代的第三代KrF（248nm）光源的步进式投影式光刻机，到八十年代的第四代ArF(193nm)光源的步进式扫描光刻机，设备性能不断提高，推动集成电路按照摩尔定律快速发展。

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