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在通过弹幕了解到国内的厂商直接和岛国杠起来后，韩元并没有多说什么，而是转身继续完成制备单晶硅。

不过却有细心的观众和各国的专家们发现这名主播的讲解，似乎详细了不少。

“‘化学气相沉积-硅核心外延法’制备单晶硅最主要的方式一般是两种。”

“第一种是‘四氯化硅氢还原法’。”

“之前看过我制备碳化硅晶材的朋友应该就知道，‘四氯化硅氢还原法’是制取高纯度多晶硅的一种方法。”

“但事实上它同样是可以用来制备单晶硅的。”

“不过我今天使用的并非这个，而是第二种‘硅烷热分解法’。”

“相对于‘四氯化硅氢还原法’来说，‘硅烷热分解法’更加简单，制备流程走的步骤也更少一些。”

“不过有一点要注意。”

“那就是温度。”

“温度对硅烷外延生长速度影响不大，但对外延层质量影响很大。”

“例如，当温度高于1100℃时，外延层的自掺杂效应较为严重，反之，若温度过低，外延层的晶体完整性差、缺陷多。”

“实践证明:当用氢气作携带气体时，1050℃左右为最佳生长温度；影响硅烷外延生长速度的最主要因素是硅烷在氢气中的浓度，一般随着氢气中硅烷的增加，生长速度也按比例增加的......”

“另外要注意的是，虽然硅烷热分解外延具有生长温度较低，反应机构简单，无卤化物、无自渗杂等优点。”

“但硅烷易燃易爆，而且硅烷外延时生成的单晶硅受硅烷气体纯度的影响较大，外延层杂质的分布也比较难控制。”

“所以如何提炼出来高纯度的硅烷气体，以及保持设备内的无尘净结是使用‘硅烷热分解法’制备单晶硅的重点。”

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