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第四百一十一章:适用于碳基芯片的光刻胶

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石墨烯单晶材料完成,韩元通过特殊的手段将这块石墨烯单晶材料切割成了大小合适的晶圆并保存了起来。

这些晶圆后续经过处理后,可以用于制造碳基芯片,他自然不会扔掉。

石墨烯单晶材料完成制备,花费了一些时间,韩元将制备碳基芯片需要的碳纳米管材料、高纯度碳化硅晶材等材料一起制造了出来。

制造碳基芯片的一系列的基础原材料都处理好制备出来后,接下里的工作自然是制造各种需要的设备了。

其中就有关键的光刻机和光刻胶。

......

碳基芯片和硅基芯片不同又相同。

不同的是碳基芯片在中低端芯片上的处理可以不使用光刻机处理。

通过一些特殊的手段,比如激光蚀刻、化学气相沉积等方法就可以在芯片内部构建出一个个的晶体管。

但这些特殊方式的局限性都很大,在精度方面都有上限。

比如激光蚀刻法在晶圆上蚀刻电路的精度极限就是微米级,要在降低的话,使用这种方法就容易烧穿晶圆电路中的栅极和沟道,进而导致芯片报废。

所以碳基芯片要达到纳米级别,光刻机是无论如何都绕不过去的一个门槛。

华国研究碳基芯片想要在这条路上实现弯道超车,也并非是因为碳基芯片不需要光刻机光刻胶这些东西。

而是在韩元没有出现以前,如果能走通碳基芯片这条路,那么可以暂时性的绕开光刻机光刻胶这些东西。

通过这种手段,将国内制造的芯片在性能上拉到和国外顶级芯片一样的高度上,进而打破国外的封锁。

只有打破了封锁,能够实现自给自足,才能有足够的时间、精力、资本去研究更深一层次的东西。

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